温度对微弧氧化的影响
微弧氧化与阳极氧化不同,所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且温度高,会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放,所以液体温度上升较快,微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源





微弧氧化
在微弧氧化过程中,微弧氧化技术,化学氧化、电化学氧化、等离子体氧化同时存在,因此陶瓷层的形成过程非常复杂,至今还没有一个合理的模型能全描述陶瓷层的形成。
微弧氧化电流密度的选定还必须与其他工艺条件和性能要求相结合。这些工艺条件包括电解液组成和温度、基材成分、电源模式等。微弧氧化突破传统阳极氧化的---,利用电极间施加---的电压使浸在电解液中的电极表面发生微弧放电现象,电压的高低是影响微弧氧化的主要因素之一。实验表明,不同的溶液有不同的电压工作范围,如果电压过低,陶瓷层生长速度较小,镁合金微弧氧化技术,陶瓷层较薄,颜色较浅,硬度也较低;工作电压过高,微弧氧化技术实验,工件易出现烧蚀现象,生成的陶瓷层致密性较差,厚度不钧匀。
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